Bài giảng Điện tử tương tự 1: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ sử dụng transistor lưỡng cực

Bài giảng "Điện tử tương tự 1: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ sử dụng transistor lưỡng cực" được biên soạn với các nội dung chính sau: Khái niệm sơ đồ tương đương; Phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ sử dụng transistor lưỡng cực; Sự phụ thuộc của chế độ làm việc xoay chiều vào chế độ phân cực một chiều; Tổng kết đặc điểm của các mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ sử dụng transistor lưỡng cực. Mời thầy cô và các em cùng tham khảo chi tiết bài giảng tại đây!
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Bài giảng Điện tử tương tự 1: Mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ sử dụng transistor lưỡng cực ET.3230 Điện tử tương tự 1Bài giảng: Mạch khuếch đại tín hiệunhỏ sử dụng transistor lưỡng cực Slide 1 Nội dung• Khái niệm sơ đồ tương đương – Sơ đồ tương đương tham số hỗn hợp – Sơ đồ tương đương tham số dẫn nạp – Sơ đồ tương đương mô hình re – So sánh các loại sơ đồ tương đương• Phân tích mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ sử dụng transistor lưỡng cực – Phân tích theo sơ đồ tương đương mô hình re – Phân tích bằng phương pháp đồ thị• Sự phụ thuộc của chế độ làm việc xoay chiều vào chế độ phân cực một chiều• Tổng kết đặc điểm của các mạch khuếch đại tín hiệu nhỏ sử dụng transistor lưỡng cực Slide 2 4.1 Khái niệm sơ đồ tương đương và phân loại• 4.1.1 Sơ đồ tương đương tham số hỗn hợp• 4.1.2 Sơ đồ tương đương tham số dẫn nạp• 4.1.3 Sơ đồ tương đương mô hình re Slide 3 4.1 Khái niệm sơ đồ tương đương và phân loại• Sơ đồ tương đương BJT: – Sơ đồ tương đương BJT là 1 mạch điện tử miêu tả xấp xỉ hoạt động của thiết bị trong vùng làm việc đang xét – Khuếch đại BJT tín hiệu nhỏ được coi là tuyến tính cho hầu hết các ứng dụng Slide 44.1.1 Sơ đồ tương đương tham số hỗn hợp• Công thức mạng 4 cực Ii Io Mạng Vi = h11 I i + h12Vo Vi 4 cực Vo   I o = h21 I i + h22Vo• Chỉ số e (hoặc b,c) cho các cấu trúc CE (hoặc CB, CC) Slide 54.1.1 Sơ đồ tương đương tham số hỗn hợp• Bảng giá trị tham số tiêu biểu cho các cấu hình CE, CB, CC Tham số CE CB CC h11 (hi) 1kΩ 20Ω 1kΩ h12 (hr) 2,5x 10−4 3x 10−4 ≈1 h21 (hf) 50 -0,98 -50 h22 (ho) 25µA/V 0,5µA/V 25µA/V 1/h22 40kΩ 2MΩ 40kΩ Slide 64.1.2 Sơ đồ tương đương tham số dẫn nạp• Công thức mạng 4 cực Ii Io Mạng  I i = y11Vi + y12Vo Vi 4 cực Vo   I o = y21Vi + y22Vo• Chỉ số e (hoặc b,c) cho các cấu trúc CE (hoặc CB, CC) Slide 7 4.1.3 Sơ đồ tương đương mô hình re• BJT được mô hình hóa bằng một diode và nguồn dòng điều khiển được – Đầu vào: tiếp giáp BE phân cực thuận làm việc như 1 diode – Đầu ra: nguồn dòng điều khiển được, với dòng điều khiển là dòng vào, mô tả quan hệ I c = β I b hoặc I c = α I e Slide 8 4.1.3 Sơ đồ tương đương mô hình re• Cấu hình CB – Chung B giữa đầu vào và đầu ra – Đầu vào: re là điện trở xoay chiều của diode 26mV re = IE – Đầu ra: Nguồn dòng điều khiển bởi dòng Ic = α Ie Slide 9 4.1.3 Sơ đồ tương đương mô hình re• Cấu hình CB Z i = re từ vài Ω tới 50 Ω Zo ≈ ∞ thường khoảng M Ω α RL RL tương đối lớn Av = ≈ re re Vi , Vo đồng pha Ai = −α ≈ −1 Slide 10 4.1.3 Sơ đồ tương đương mô hình re• Cấu hình CE – Chung E giữa đầu vào và đầu ra – Đầu vào: re là điện trở xoay chiều của diode 26mV re = IE – Đầu ra: Nguồn dòng điều khiển bởi dòng Ic = β Ib Slide 11 4.1.3 Sơ đồ tương đương mô hình re• Cấu hình CE Vbe β I b reZi = ≈ = β re Ib Ibtừ vài trăm Ω tới 6-7kΩZ o = ro từ 40kΩ tới 50kΩ Z o = ro ≈ ∞ không được đưa vào mô hình re RLAv = − Vi , Vo ngược pha re r0 =∞Ai = β ro =∞Z i , Z o trung bình; Av , Ai lớn Slide 12 4.1.3 Sơ đồ tương đương mô hình re• Cấu hình CC – Có thể áp dụng mô hình đã được định nghĩa cho cấu hình CE Slide 134.1.4 So sánh các loại sơ đồ tương đương• So sánh sơ đồ tương đương H và re Mô hình H Mô hình re Cố định. Không biến đổi theo Có biến đổi theo điểm làm điểm làm việc việc Có xét đến tín hiệu hồi tiếp Bỏ qua tín hiệu hồi tiếp Có xét đến điện trở ra Bỏ qua điện trở ra Slide 14 4.2 Phân tích mạch KĐ tín hiệu nhỏ sử dụng BJT• 4.2.1 Phân tích theo sơ đồ tương đương mô hình re• 4.2.2 Phân tích bằng phương pháp đồ thị ...