Bài tập về Vi xử lý

Kỹ thuật vi xử lý 1. Bộ vi xử lý 8088 được khởi tạo đoạn ngăn xếp tại SS = 4200H. Giả thiết tại một thời điểm BP=00FCH, BX=1234H, AX= 2006H,
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Bài tập về Vi xử lý Giải bài tập Vi xử lý – BachDH – TTM K51 v1.0Phần 1: Kỹ thuật vi xử lý 1. Bộ vi xử lý 8088 được khởi tạo đoạn ngăn xếp tại SS = 4200H. Giả thiết tại một thời điểm BP=00FCH, BX=1234H, AX= 2006H, CX= 5566H, SP=0100H đang trỏ vào đỉnh ngăn xếp. Hãy tính địa chỉ và nội dung các byte nhớ trong ngăn xếp sau các lệnh sau: PUSH AX PUSH BX POP DX PUSH CX MOV DL,[BP] POP SI Giải: Coi độ lớn Stack là 1 byte và lưu trữ theo Little endian. + Ban đầu: Địa chỉ Nội dung SP 0100H  … … SS 4200H  + PUSH AX SP 00FEH 06H  00FFH 20H 0100H … … SS 4200H  + PUSH BX SP 00FCH 34H  00FDH 12H 1 00FEH 06H 00FFH 20H 0100H … …SS 4200H+ POP DXSP 00FEH 06H 00FFH 20H 0100H … …SS 4200H+ PUSH CXSP 00FCH 66H 00FDH 55H 00FEH 06H 00FFH 20H 0100H … …SS 4200H+ MOV DL,[BP] – ngăn xếp không thay đổiSP 00FCH 66H 00FDH 55H 00FEH 06H 00FFH 20H 0100H … …SS 4200H+ POP SISP 00FEH 06H 2 00FFH 20H 0100H … …SS 4200H 32. Bộ vi xử lý 8088 được khởi tạo đoạn dữ liệu tại DS = 4200H. Giả thiết tại một thời điểm BX=ABF8H, SI=4E5CH, DI= 13C2H. Hãy tính địa chỉ toán hạng nguồn của các lệnh sau : a) MOV AL,[BX]+5 b) ADD AL,[3A5CH] c) MOV CL,[DI+7] d) MOV BX,[SI+BX+0FH] Giải: a) Chế độ địa chỉ tương đối cơ sở 4200H:ABFDH = 4CBFDH b) Chế độ địa chỉ trực tiếp 4200H:3A5CH = 45A5CH c) Chế độ địa chỉ tương đối chỉ số 4200H:13C9H = 433C9H d) Chế độ địa chỉ tương đối chỉ số cơ sở 4200H:FA63H = 51A63H 43. Cho nội dung các thanh ghi trong của 8088 như sau. AX= 94B3H ; BX=5AE4H ; CX= A4B7H ; DX= EA8DH. Hãy cho biết kết quả các phép toán sau và nội dung các cờ CF,OF,ZF sau mỗi phép toán a) ADD AX,BX b) SUB BX,CX c) ADD CL,DL d) OR BH,AL Giải: a) Kết quả: 94B3H 1001 0100 1011 0011 ADD 5AE4H 0101 1010 1110 0100 AX = EF97H 1110 1111 1001 0111 Cờ: CF = 0, OF = 0, ZF = 0 b) Kết quả: A4B7H 1010 0100 1011 0111 bù 1 0101 1011 0100 1000 bù 2 0101 1011 0100 1001 ADD 5AE4H 0101 1010 1110 0100 BX = B62DH 1011 0110 0010 1101 Cờ: CF = 0, OF = 1, ZF = 0 c) Kết quả: B7H 1011 0111 ADD 8DH 1000 1101 CL = 44H 0100 0100 Cờ: CF = 1, OF = 1, ZF = 0 d) Kết quả: 5AH 0101 1010 OR B3H 1011 0011 BH = FBH 1111 1011 Cờ: CF = 0, OF = 0, ZF = 0 5 4. a) Hãy sử dụng các mạch giải mã 1/4, các mạch logic, các vi mạch EPROM 512B thiết kế bộ nhớ 2kB đặt địa chỉ cuối cùng là FFFFFH . b) Liệt kê địa chỉ của từng vi mạch EPROM. Giải: Dung lượng EPROM = 512B = 29B = 200H  9 chân địa chỉ (A0 – A8) Dung lượng bộ nhớ = 2kB = 211B = 4.29B = 800H  phải dùng 4 vi mạch EPROM 512B Địa chỉ đầu của bộ nhớ = Địa chỉ cuối của bộ nhớ - (Dung lượng bộ nhớ - 1) = FFFFFH – (800H – 1) = FF800H Mỗi vi mạch EPROM có dung lượng 200H nên địa chỉ của từng vi mạch EPROM là: IC 1: Địa chỉ đầu = FF800H Địa chỉ cuối = FF9FFH IC2: Địa chỉ đầu = FFA00H Địa chỉ cuối = FFBFFH IC3: Địa chỉ đầu = FFC00H Địa chỉ cuối = FFDFFH IC4: Địa chỉ đầu = FFE00H Địa chỉ cuối = FFFFFH Sơ đồ địa chỉ: A19 A18 A17 A16 A15 A14 A13 A12 A11 A10 A9 A8 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 IO/MIC 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1IC 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 2 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1IC 1 1 1 1 1 1 1 1 1 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 ...