BỘ NHỚ DRAM

SRAM (Static RAM) Là loại RAM tĩnh, do không phải làm tươiDung lượng nhỏ, tốc độ nhanh, thời gian truy cập 25-2ns Xây dựng từ các Flip-FlopThường dùng làm bộ nhớ CacheSRAM (Static RAM) Là loại RAM tĩnh, do không phải làm tươiDung lượng nhỏ, tốc độ nhanh, thời gian truy cập 25-2ns Xây dựng từ các Flip-FlopThường dùng làm bộ nhớ Cache
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
BỘ NHỚ DRAM Chương 5 BỘ NHỚ DRAMNội dung  Một số khái niệm  Các công nghệ bộ nhớ DRAM  Các dạng bản mạch bộ nhớ DRAM  L ắp đ ặt RAM (Random Access Memory) Bộ nhớ bán dẫn: Thông tin mất khi ngắt nguồn Có thể ghi/đọc, thời gian không phụ thuộc vị trí ô nhớ SRAM (Static RAM)  Là loại RAM tĩnh, do không phải làm tươi  Dung lượng nhỏ, tốc độ nhanh, thời gian truy cập 25-2ns  Xây dựng từ các Flip-Flop  Thường dùng làm bộ nhớ Cache DRAM (Dynamic RAM)  Là loại RAM động, phải làm tươi “Refresh”  Dung lượng lớn, tốc độ chậm, thời gian truy cập 120- 3ns  Mỗi ô nhớ gồm một transistor MOS và một tụ điện  Dùng làm bộ nhớ chính (Main Memory) Khác biệt cơ bản giữa SRAM và DRAM?  Dung lượng? Tốc độ? Làm tươi thông tin?DRAM (Dynamic Random Access Memory)Bộ nhớ thao tác, chứa phần mềm hệ thống (HĐH), phần mềm vàdữ liệu của các trình ứng dụng đang hoạt động.Phân bổ địa chỉ của các vùng chức năng tại vùng nhớ đầu tiên: Địa chỉ vật Địa chỉ đoạn lý 0000000 Vùng nhớ Vùng nhớ quy ước quy ước 0000 640KB dành cho HĐH và NSD (RAM) 09FFFF 0A0000 Vùng nhớ dành cho A000 128KB 0BFFFF hiển thị (Video RAM) 0C0000 Vùng nhớ dự phòng dành cho ROM VIDEO C000 128KB 0DFFFF mở rộng (C000,C800,D000,D800) & 0E0000 E000 Vùng nhớ dự phòng dành cho RAM ROM 64 KB 0EFFFF hệ thống 0F0000h F000 64KB Vùng nhớ ROM hệ thống 0FFFFF Vùng nhớ 100000 Mở rộng 15MB Vùng nhớ mở rộng (RAM) FFFFFF 1. MỘT SỐ KHÁI NIỆM Tốc độ xử lý của CPU phụ thuộc vào tốc độ bộ nhớ Sự phát triển tốc độ: CPU, chipset nhanh, bộ nhớ chậm hơn Tốc độ của bộ nhớ• Ảnh hưởng tới tốc độ xử lý của toàn hệ thống• Có nhiều thông số với các đơn vị khác nhau • MHz? MB/s - Gb/s? • Tốc độ bus hệ thống • Đánh giá tốc độ? • Tốc độ bộ nhớ Khái niệm  Tần số xung đồng hồ (Clock Frequency)  Độ rộng bus dữ liệu (Data bus width)  Băng thông và tốc độ truyền dữ liệu Tốc độ của bộ nhớ Tần số xung đồng hồ (Clock Frequency) Dùng đơn vị MHz (hoặc GHz). Tần số của bus bộ nhớ phụ thuộc vào bus FSB Là giới hạn tần số của bộ nhớ chính. VD: Mainboard có FSB 133 MHz, bus bộ nhớ sẽ là 133 MHz. Dùng SDRAM PC100/ 133MHz  chu kỳ đồng hồ = 10ns / 7.5ns Độ rộng bus dữ liệu (Data bus width) Khối bộ nhớ (bank) ~ với độ rộng bus dữ liệu ngoài CPU • Từ Pentium độ rộng bus 64-bit (gấp đôi 486) Bus dữ liệu ngoài của DRAM = kích thước bus dữ liệu bộ xử lý • Xác định tốc độ kết nối của bộ nhớ với hệ thống. • EDO RAM 32-bit, RIMM 16-bit, DIMM tất cả đều 64-bit Bus nội của DRAM, tùy thuộc từng loại: độ rộng 1, 2, 4 hay 8bit. Tốc độ của bộ nhớ Băng thông và tốc độ truyền dữ liệu  Cho biết khả năng đáp ứng yêu cầu truyền dữ liệu của bus.  Tốc độ PBW (peak bandwidth) được tính theo công thức: PBW = Tốc độ xung x Độ rộng bus Băng thông (bandwidth)  Được dùng cho bus FSB, đơn vị GB/s (hoặc MB/s).  FSB 133MHz, bus dữ liệu 64-bit (8byte)  PBW = 1.06 GB/s. Tốc độ truyền dữ liệu (Data transfers)  Dùng cho bộ nhớ: thông lượng dữ liệu bus bộ nhớ cung cấp.  Bus dữ liệu ngoài của bộ nhớ: thường dùng GB/s (hoặc MB/s),  Bus dữ liệu trong: dùng đơn vị MT/s (Million Transfers per second- triệu bit/giây)  SDRAM PC100: tốc độ của bus ngoài = 100 MHz x 8 Bytes = 800MB/s, bus nội = 100 MHz x 1 bit = 100 MT/s. Kỹ thuật truy nhập bộ nhớ Truy nhập theo phân trang FPM (Fast Page Mode)• Bộ nhớ chia thành các trang 512byte ÷ 4KB• Xác định địa chỉ hàng cho ô nhớ cần truy nhập• Giữ nguyên địa chỉ hàng, thay đổi địa chỉ cột của ô nhớ• Truy nhập ô nhớ đã xác định• Truy nhập theo địa chỉ khối, dạng 5-3-3-3 Kỹ thuật Hyper Page Mode của EDO RAM• Cải tiến việc đưa dữ liệu ra (Extended Data Out)• Truy nhập khối này, nạp trước địa chỉ cột khối sau.• Khối trước hoàn thành gửi dữ liệu, khối sau đã nạp xong địa chỉ cột, do vậy tiết kiệm được một chu kỳ.• Dạng truy nhập của EDO: 5-2-2-2  cần 11 chu kỳ/ 4 lần truy nhập Kỹ thuật truy nhập bộ nhớ Kỹ thuật truy nhập theo loạt (burst mode)• Tăng hiệu năng truy nhập bộ nhớ so với Page Mode  Xác định địa chỉ hàng, cột cho ô nhớ cần truy nhập  Truy nhập ...