Tham khảo tài liệu điện tử học : diod part 3, kỹ thuật - công nghệ, điện - điện tử phục vụ nhu cầu học tập, nghiên cứu và làm việc hiệu quả
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Điện tử học : Diod part 3 Li g h t o u t p u t p Epitaxial layers n+ n+ S u b s t r at eFig. 6.44: A schematic illustration of one possible LED devicestructure. First n+ is epitaxially grown on a substrate. A thin p layeris then epitaxially grown on the first layer.From Principles of Electronic Materials and Devices, Second Edition, S.O. Kasap (© McGraw-Hill, 2002)ht tp: // Mat erials.Usask.Ca Ec EN Eg Ev (b) N doped GaP (a) GaAs1-yPy y < 0.45Fig. 6.45: (a) Photon emission in a direct bandgap semiconductor.(b) GaP is an indirect bandgap semiconductor. When doped withnitrogen there is an electron recombination center at EN. Directrecombination between a captured electron at EN and a holeemits a photon.From Principles of Electronic Materials and Devices, Second Edition, S.O. Kasap (© McGraw-Hill, 2002)htt p:/ /Materials. Usask. Ca Maïch LEDLED daãn coù : VD = 1,6V – 2,2V; ID = 5 – 30mAChoïn trung bình: VD = 2V vaø ID = 10 mAMaïch coù ñieän trôû RD noái vôùi LED vôùi nguoànVcc,caùch tính trò RD tuyø theo trò soá nguoàn Vcc: R DI D V V CC D + Vcc V CC V D RD R D ID IDVcc = 5V RD = 200 Ohm Choïn 270 hoaëc 330 Ohm = 9V = 700 Ohm Choïn 680 VD = 12V = 1000 Ohm p p AlGaAs AlGaAs GaAs (a) Ec ~ 0.2 m Ec Electrons in CB No bias 2 eV eVo EF 1.4 eV EF Ec Ev 2 eV (b) Holes in VB Ev With forward bias (c) n+ p p (d) AlGaAs GaAs AlGaAsFig. 6:46: (a) A double heterostructure diode has two junctions whichare between two different bandgap semiconductors (GaAs andAlGaAs). (b) A simplified energy band diagram with exaggeratedfeatures. EF must be uniform. (c) Forward biased simplified energyband diagram. (d) Forward biased LED. Schematic illustration ofphotons escaping reabsorption in the AlGaAs layer and being emittedfrom the device.F r o m P r i n c i p l e s o f E l e c t r o n i c M a t e r i a l s a n d D e v i c e s , S e c o n d E d i t i o n , S . O . K a s a p ( © M c G r a w - H ill, 2 0 0 2 )h t t p : / / M a t e ria ls . U s a s k . C a Current Ge Si GaAs ~0.1 mA Voltage 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 Fig.6.4: Schematic sketch of the I-V charact ...
Điện tử học : Diod part 3
Số trang: 7
Loại file: pdf
Dung lượng: 9.41 MB
Lượt xem: 18
Lượt tải: 0
Xem trước 2 trang đầu tiên của tài liệu này:
Thông tin tài liệu:
Tìm kiếm theo từ khóa liên quan:
điện tử học giáo trình điện tử học bài giảng điện tử học tài liệu điện tử học đề cương điện tử họcTài liệu có liên quan:
-
Đề cương ôn tập học kì 1 môn Vật lý lớp 9
9 trang 163 0 0 -
GIÁO TRÌNH SỬA CHỮA MONITOR CRT VÀ NGUỒN XUNG ATX
29 trang 44 0 0 -
14 trang 39 0 0
-
Sổ tay chuyên ngành Cơ điện tử: Phần 1
394 trang 37 0 0 -
Giáo trình Cơ học chất lỏng 12
14 trang 36 0 0 -
Hướng dẫn giải bài tập Điện từ học: Phần 2
338 trang 36 0 0 -
14 trang 35 0 0
-
Giáo trình Cơ học chất lỏng 16
14 trang 33 0 0 -
[Điện Tử] Tự Động Hóa, Tự Động Học - Phạm Văn Tấn phần 1
14 trang 31 0 0 -
Giáo trình Cơ học chất lỏng 20
13 trang 30 0 0