Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 8

 Sau đó, nếu tiếp tục gia tăng VDS VDSbh vùng hiếm phía cực D càng rộng làm điểm nghẽn di chuyển về phía cực nguồn S nên dòng ID vẫn giử trị không đổi ( bão hoà) ( H.9 ) . Chú ý (1). Do EMOSFET dẫn điện chỉ bằng các hạt tải đa số nên còn gọi lả linh kiện hạt tải đa số hay transistor đơn cực(đơn hướng). (2). Việc điều khiển các hạt tải đa số bằng điện trường nên EMOSFET còn được gọi là linh kiện điều khiển bằng điện trường. (3). Với các...
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Điện tử học : Transistor trường ứng( FET) part 8 Sau đó, nếu tiếp tục gia tăng VDS > VDSbh vùng hiếm phía cực D càng rộng làm điểm nghẽn di chuyển về phía cực nguồn S nên dòng ID vẫn giử trị không đổi ( bão hoà) ( H.9 ) .Chú ý(1). Do EMOSFET dẫn điện chỉ bằng các hạt tải đa số nên còn gọi lả linh kiện hạt tải đa số hay transistor đơn cực(đơn hướng).(2). Việc điều khiển các hạt tải đa số bằng điện trường nên EMOSFET còn được gọi là linh kiện điều khiển bằng điện trường.(3). Với các EMOSFET kênh p thì lý luận tương tự nhưng với kênh cảm ứng là các lỗ trống , cực S và cực D là các lỗ trống cho sẳn ( xem giáo trình ).3.3. Đặc tuyến và phương trình dòng ID 1.Đặc tuyến ra ID = f (VDS) tại VGS=hs. 2. Đặc tuyến truyền ID = f (VGS) tại VDS = hs. enhancement MOSFET circuit and drain characteristic for Example Example 9.8iD (mA) v GS 100 = 2.8 V 80 2.6 V Q 60 2.4 V iD D 2.2 V 40 RD + G 2.0 V v DS + 20 – 1.8 V V v GS GG V – ON S 1.6 V 1.4 V 0 10 v DS 0 2 4 6 8 (V)• 3. Biểu thức điện thế và dòng điện a.Biểu thức điện thế Dựa vào lý thuyết và đặc tuyến, quỉ tích các điểm có VDSbh cho bởi: VDSbh = VGS – VTH (1). b. Biểu thức dòng điện thoát ID. - Trong vùng điện trở : VGS < VTH hay VDS < VGS – VTH ta có : ID = k[ 2( VGS-VTH)VDS – (VDS)2] (2) - Trong vùng bão hoà :VGS >VTH hay VDS > VGS-VTH ta có : ID = k(VGS – VTH )2 (3) k hằng số tuỳ thuộc linh kiên .