Giản đồ pha trật tự từ trong bán dẫn từ pha loãng khi dải tạp được lấp đầy do mất trật tự chéo

Bài báo "Giản đồ pha trật tự từ trong bán dẫn từ pha loãng khi dải tạp được lấp đầy do mất trật tự chéo" được chia làm bốn phần. Ngoài phần mở đầu thì phần 2 mô tả cơ sở lý thuyết áp dụng để tính hàm cảm ứng spin tĩnh. Phần 3 trình bày kết quả tính số, mô tả giản đồ pha các trạng thái trật tự từ. Cuối cùng, phần 4 là phần kết luận của bài báo.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Giản đồ pha trật tự từ trong bán dẫn từ pha loãng khi dải tạp được lấp đầy do mất trật tự chéo 40 Nguyễn Hữu Nhã, Phan Văn Nhâm / Tạp chí Khoa học và Công nghệ Đại học Duy Tân 6(49) (2021) 40-45 6(49) (2021) 40-45 Giản đồ pha trật tự từ trong bán dẫn từ pha loãng khi dải tạp được lấp đầy do mất trật tự chéo Magnetic phase diagram in filled impurity band diluted magnetic semiconductor due to diagonal disorder Nguyễn Hữu Nhãa, Phan Văn Nhâmb,c* Nguyen Huu Nhaa, Phan Van Nhamb,c* Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, Đại học Quốc gia TP. Hồ Chí Minh, TP. Hồ Chí Minh, Việt Nam a a Department of Theoretical Physics, VNUHCM-University of Science, Ho Chi Minh City, 700000, Vietnam b Viện Nghiên cứu và Phát triển Công nghệ Cao, Trường Đại học Duy Tân, Đà Nẵng, Việt Nam b Institute of Research and Development, Duy Tan University, Da Nang, 550000, Vietnam c Khoa Môi trường và Khoa học Tự nhiên, Trường Đại học Duy Tân, Đà Nẵng, Việt Nam c Department of Environment and Natural Science, Duy Tan University, Da Nang, 550000, Vietnam (Ngày nhận bài: 13/7/2021, ngày phản biện xong: 12/8/2021, ngày chấp nhận đăng: 22/11/2021) Tóm tắt Sự cạnh tranh các trạng thái trật tự từ do ảnh hưởng của mất trật tự trong hệ bán dẫn từ pha loãng với dải tạp lấp đầy được khảo sát. Với gần đúng trường trung bình động, hàm Green của hạt tải trong mô hình mạng Kondo khi có mất trật tự chéo được xác định. Hàm cảm ứng spin tĩnh tiếp tục được khảo sát cho phép ta nghiên cứu bức tranh thăng giáng từ trong hệ. Tính chất của hàm cảm ứng cho ta được giản đồ pha mô tả các trạng thái trật tự từ khi nhiệt độ thấp. Giản đồ pha cho ta thấy, khi dải tạp lấp đầy hoàn toàn, hệ có thể tồn tại ở trạng thái sắt từ hoặc phản sắt từ tùy vào mức độ mất trật tự trong hệ. Bản chất cạnh tranh của các trạng thái trật tự từ do ảnh hưởng của thế mất trật tự vì vậy được thảo luận một cách chi tiết. Từ khóa: Bán dẫn từ pha loãng; giản đồ pha; sắt từ; phản sắt từ; lý thuyết trường trung bình động. Abstract The competition of the magnetic stabilities under the influence of a disorder in a diluted magnetic semiconductor is addressed. In the framework of the dynamical mean field theory, the Green function of carriers described in the Kondo lattice model with the diagonal disorder is established. The static spin susceptibility function in the paramagnetic state is then examined and the low temperature magnetic diagram in the system is discussed. The phase diagrams show us that either ferromagnetic or antiferromagnetic stability might appear if an impurity band is completely filled, that depends on the disorder effect in the system. The nature of the magnetic competition in the influence of the disorder then is discussed in detail. Keywords: Diluted magnetic semiconductor; phase diagram; ferromagnetic; antiferromagnetic; dynamical mean-field theory. ©2021 Bản quyền thuộc Đại học Duy Tân * Corresponding Author: Phan Van Nham; Faculty of Nature Sciences, Duy Tan University, 55000, Danang, Vietnam; Institute of Research and Devolopment, Duy Tan University, 55000, Danang, Vietnam Email: phanvannham@duytan.edu.vn Nguyễn Hữu Nhã, Phan Văn Nhâm / Tạp chí Khoa học và Công nghệ Đại học Duy Tân 6(49) (2021) 40-45 41 1. Mở đầu tranh trật tự từ trong bán dẫn từ pha loãng thông qua tính chất của hàm cảm ứng spin tĩnh. Bán dẫn từ pha loãng đã và đang là một Hàm cảm ứng này được xác định trong pha trong những vật liệu thu hút sự quan tâm của thuận từ (PM). Khi hàm cảm ứng phân kỳ, nó các nhà nghiên cứu vật liệu vì những khả năng cho ta tín hiệu thể hiện sự chuyển pha trạng thái mà vật liệu này mang lại trong công nghệ điện trật tự từ. Tùy vào giá trị xung lượng mà hàm tử học spin [1,2]. Thực vậy, khi pha tạp một cảm ứng spin tĩnh phân kỳ trước mà hệ có thể ở lượng nhỏ các ion từ vào vật liệu bán dẫn, ta có các trạng thái trật tự từ khác nhau. Hàm cảm vật liệu bán dẫn từ pha loãng. Với vật liệu này, ứng spin tĩnh được xác định thông qua hàm hạt tải vừa mang tính chất điện của bán dẫn lại Green cũng như hàm năng lượng riêng của hạt vừa có tính chất từ khi có tương tác từ với các tải, được xác định qua lý thuyết trường trung ion pha tạp. Vì vậy, với các chip bán dẫn từ pha bình động áp dụng cho mô hình mạng Kondo loãng, các tính chất đối lập là lưu trữ và xử lý khi tính tới mất trật tự chéo [8]. thông tin có thể tồn tại trên cùng một thiết bị điện tử. Ở vật liệu bán dẫn từ pha loãng này, Bài báo được chia làm bốn phần. Ngoài ngoài khảo sát các tính chất điện của hệ, tính phần mở đầu thì phần 2 mô tả cơ sở lý thuyết chất từ cũng thu hút sự tập trung nghiên cứu áp dụng để tính hàm cảm ứng spin tĩnh. Phần 3 của các nhà vật lý [3,4]. Trong những năm trình bày kết quả tính số, mô tả giản đồ pha các trước, người ta mới chỉ quan sát được trạng th ...