Mục tiêu của đề tài nghiên cứu nhằm tìm độ dẫn, công suất và/hoặc hệ số hấp thụ tuyến tính và phi tuyến trong giếng lượng tử thế tam giác và thế hyperbol bất đối xứng đặc biệt (SAsHQW) do tương tác electron-phonon đặt trong điện trường xoay chiều cao tần và từ trường tính; xác định điều kiện để có cộng hưởng electron-phoonon dò tìm bằng quang học, cộng hưởng từ-phonon dò tìm bằng quang học và khảo sát độ rộng vạch phổ tương ứng với các đỉnh cộng hưởng. Mời các bạn tham khảo nội dung đề tài!
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận án Tiến sĩ Vật lý: Nghiên cứu cộng hưởng electron-phonon và cộng hưởng từ-phonon trong giếng lượng tử ĐẠI HỌC HUẾ TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM PHẠM TUẤN VINH NGHIÊN CỨU CỘNG HƯỞNGELECTRON-PHONON VÀ CỘNG HƯỞNGTỪ-PHONON TRONG GIẾNG LƯỢNG TỬ LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ Huế, 2021 ĐẠI HỌC HUẾ TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM PHẠM TUẤN VINH NGHIÊN CỨU CỘNG HƯỞNGELECTRON-PHONON VÀ CỘNG HƯỞNGTỪ-PHONON TRONG GIẾNG LƯỢNG TỬ Chuyên ngành: Vật lý lý thuyết và Vật lý toán Mã số: 9 44 01 03 LUẬN ÁN TIẾN SĨ VẬT LÝ NGƯỜI HƯỚNG DẪN KHOA HỌC PGS. TS. LÊ ĐÌNH PGS. TS. LƯƠNG VĂN TÙNG Huế, 2021 LỜI CAM ĐOAN Tôi xin cam đoan đây là công trình nghiên cứu của riêng tôi, các số liệu vàkết quả nghiên cứu nêu trong luận án là trung thực, được các đồng tác giả chophép sử dụng và chưa từng được công bố trong bất kỳ một công trình nghiên cứunào khác. Huế, tháng 08 năm 2021 Tác giả luận án Phạm Tuấn Vinh i LỜI CẢM ƠN Hoàn thành luận án này, tác giả xin bày tỏ lòng biết ơn sâu sắc nhất đếnPGS.TS. Lê Đình và PGS.TS. Lương Văn Tùng. Đây là những người thầy đãtận tình dạy dỗ, hướng dẫn và giúp đỡ tác giả trong suốt quá trình học tập cũngnhư nhiều đóng góp quý báu để tác giả hoàn thành luận án. Qua đây, tác giảcũng gửi lời tri ân đến GS. TS. Trần Công Phong người đã dẫn dắt và truyềnnhiệt huyết để tác giả vào hướng nghiên cứu này. Xin chân thành cảm ơn PGS.TS. Huỳnh Vĩnh Phúc là một người anh, người thầy đã động viên để tác giảhoàn thiện bản thân như hôm nay. Xin chân thành cảm ơn Ban Giám hiệu, Khoa Vật lý và phòng Sau đại họccủa Trường Đại học Sư phạm - Đại học Huế; Ban đào tạo Sau đại học, BanGiám đốc Đại học Huế đã tạo mọi điều kiện tốt nhất để tác giả được học tập,nghiên cứu và hoàn thành luận án này. Tác giả cũng xin gửi lời cảm ơn đến Ban giám hiệu Trường Đại học ĐồngTháp đã tạo mọi điều kiện thuận lợi về thời gian và kinh phí để tác giả học tậpnâng cao trình độ chuyên môn và hoàn thành luận án. Cảm ơn quý Thầy, Cô,và các đồng nghiệp trong và ngoài khoa Sư phạm Khoa học Tự nhiên đã độngviên tác giả trong suốt quá trình nghiên cứu và thực hiện luận án. Đây cũng là cả một sự cống hiến thầm lặng, thông cảm và lâu dài của nhữngthành viên thân yêu trong gia đình nhỏ; xin cảm ơn rất rất nhiều vì tất cả. Luậnán được hoàn thành tại Bộ môn Vật lý lý thuyết, Khoa Vật lý của Trường Đạihọc Sư phạm, Đại học Huế./. Tác giả luận án Phạm Tuấn Vinh ii MỤC LỤCLời cam đoan . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . iLời cảm ơn . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . iiMục lục . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . iiiDanh mục các từ viết tắt . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . viDanh mục một số kí hiệu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . viiDanh mục các hình vẽ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . viiiPHẦN MỞ ĐẦU . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1PHẦN NỘI DUNG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8Chương 1. Tổng quan về đối tượng và phương pháp nghiên cứu . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 81.1 Tổng quan về bán dẫn thấp chiều và giếng lượng tử . . . . . . . . 8 1.1.1 Bán dẫn thấp chiều . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 1.1.2 Cấu trúc giếng lượng tử . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9 1.1.3 Hàm sóng và phổ năng lượng của electron trong giếng lượng tử với thế giam giữ bất kỳ . . . . . . . . . . . . . . . 10 1.1.4 Hàm sóng và phổ năng lượng của electron trong giếng lượng tử khi có mặt từ trường . . . . . . . . . . . . . . . . . 11 1.1.5 Giếng lượng tử thế tam giác . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12 1.1.6 Giếng lượng tử thế hyperbol bất đối xứng đặc biệt . . . . . 131.2 Tổng quan về phương pháp chiếu toán tử . . . . . . . . . . . . . . 14 1.2.1 Hamiltonian của hệ electron tương tác với phonon . . . . . 16 1.2.2 Biểu thức giải tích của tenxơ độ dẫn khi có điện trường xoay chiều cao tần đặt vào hệ . . . . . . . . . . . . . . . . . 18 1.2.3 Biểu thức tenxơ độ dẫn và công suất hấp thụ tuyến tính . 21 1.2.4 Biểu thức tenxơ độ dẫn và công suất hấp thụ phi tuyến . . 24 iii 1.3 Phương pháp hàm Green biểu diễn qua lý thuyết nhiễu loạn . . . 28 1.3.1 Lý thuyết nhiễu loạn phụ thuộc thời gian . . . . . . . . . . 28 1.3.2 Xác suất dịch chuyển dưới ảnh hưởng của nhiễu loạn . . . 29 1.3.3 Tương tác electron-phonon-photon . . . . . . . . . . . . . . 31 1.3.4 Xác suất dịch chuyển và hệ số hấp thụ quang từ khi có mặt từ trường biểu diễn qua hàm Green . . . . . . . . . . . 33 1.4 Phương pháp profile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36Chương 2. Cộng hưởng electron-phonon trong giếng lượng tử thế tam giác 38 2.1 Công suất hấp thụ tuyến tính và phi tuyến trong giếng lượng tử thế tam giác . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38 2.1.1 Biểu thức công suất hấp thụ tuyến tính . . . . . . . . . . . 38 2.1.2 Biểu thức công suất hấp thụ phi tuyến . . ...
