Mục tiêu của đề tài "Khảo sát cấu hình nhám thông qua mật độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử GaN-AlN" là nghiên cứu mật độ hấp thụ tích hợp của điện tử trong giếng lượng tử GaN/AIN ứng với cơ chế tán xạ nhám bề mặt phân cực, có tính đến ảnh hưởng của tất cả các nguồn giam giữ có thể.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát cấu hình nhám thông qua mật độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử GaN-AlN
Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát cấu hình nhám thông qua mật độ hấp thụ tích hợp trong giếng lượng tử GaN-AlN
Số trang: 68
Loại file: pdf
Dung lượng: 7.43 MB
Lượt xem: 13
Lượt tải: 0
Thông tin tài liệu:
Tìm kiếm theo từ khóa liên quan:
Luận văn Thạc sĩ Vật lý lý thuyết Vật lý toán Luận văn Thạc sĩ Vật lý Cấu hình nhám Mật độ hấp thụ tích hợpTài liệu có liên quan:
-
Luận văn Thạc sĩ Kinh tế: Quản trị chất lượng dịch vụ khách sạn Mường Thanh Xa La
136 trang 377 5 0 -
97 trang 360 0 0
-
97 trang 334 0 0
-
155 trang 333 0 0
-
Luận văn Thạc sĩ Khoa học máy tính: Tìm hiểu xây dựng thuật toán giấu tin mật và ứng dụng
76 trang 309 0 0 -
26 trang 297 0 0
-
64 trang 291 0 0
-
115 trang 270 0 0
-
122 trang 237 0 0
-
136 trang 232 0 0
