Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InAs-GaAs
Số trang: 84
Loại file: pdf
Dung lượng: 9.30 MB
Lượt xem: 17
Lượt tải: 0
Xem trước 9 trang đầu tiên của tài liệu này:
Thông tin tài liệu:
Mục tiêu của đề tài "Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InAs-GaAs" là khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử tam giác InAss/GaAs có tính đến ảnh hưởng của một số nguồn giam giữ cụ thể: Mật độ điện tích phân cực trên mặt chuyển tiếp và mật độ lá điện tử, bằng phương pháp cơ học lượng tử.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InAs-GaAs
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InAs-GaAs
Tìm kiếm theo từ khóa liên quan:
Luận văn Thạc sĩ Vật lý lý thuyết Vật lý toán Luận văn Thạc sĩ Vật lý Độ linh động của điện tử Giếng lượng tử InAs-GaAsTài liệu có liên quan:
-
Luận văn Thạc sĩ Kinh tế: Quản trị chất lượng dịch vụ khách sạn Mường Thanh Xa La
136 trang 377 5 0 -
97 trang 360 0 0
-
97 trang 334 0 0
-
155 trang 333 0 0
-
Luận văn Thạc sĩ Khoa học máy tính: Tìm hiểu xây dựng thuật toán giấu tin mật và ứng dụng
76 trang 309 0 0 -
26 trang 297 0 0
-
64 trang 291 0 0
-
115 trang 270 0 0
-
122 trang 237 0 0
-
136 trang 232 0 0