Mục tiêu của luận văn "Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InGaAs-GaAsSb" là khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InGaAs-GaAsSb. Luận văn cũng sử dụng phương pháp biến phân để tìm hàm sóng và năng lượng cực tiểu và các phương pháp số để tính linh động.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InGaAs-GaAsSb
Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Khảo sát độ linh động của điện tử trong giếng lượng tử InGaAs-GaAsSb
Số trang: 86
Loại file: pdf
Dung lượng: 9.37 MB
Lượt xem: 13
Lượt tải: 0
Thông tin tài liệu:
Tìm kiếm theo từ khóa liên quan:
Luận văn Thạc sĩ Vật lý lý thuyết Vật lý toán Luận văn Thạc sĩ Vật lý Độ linh động của điện tử Giếng lượng tử InGaAs-GaAsSbTài liệu có liên quan:
-
Luận văn Thạc sĩ Kinh tế: Quản trị chất lượng dịch vụ khách sạn Mường Thanh Xa La
136 trang 377 5 0 -
97 trang 358 0 0
-
97 trang 333 0 0
-
155 trang 332 0 0
-
Luận văn Thạc sĩ Khoa học máy tính: Tìm hiểu xây dựng thuật toán giấu tin mật và ứng dụng
76 trang 309 0 0 -
26 trang 296 0 0
-
64 trang 291 0 0
-
115 trang 270 0 0
-
122 trang 237 0 0
-
136 trang 232 0 0
