Mục tiêu của đề tài "Nghiên cứu cấu hình nhám trong giếng lượng tử GaN/AIN" là tìm cấu hình nhám từ tỷ số độ rộng vạch phổ trong giếng lượng tử hình thành bởi di cấu trúc bán dẫn GaN/AIN. Mời các bạn cùng tham khảo nội dung chi tiết.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Nghiên cứu cấu hình nhám trong giếng lượng tử GaN/AIN
Luận văn Thạc sĩ Vật lý: Nghiên cứu cấu hình nhám trong giếng lượng tử GaN/AIN
Số trang: 60
Loại file: pdf
Dung lượng: 6.12 MB
Lượt xem: 10
Lượt tải: 0
Thông tin tài liệu:
Tìm kiếm theo từ khóa liên quan:
Luận văn Thạc sĩ Vật lý lý thuyết Vật lý toán Luận văn Thạc sĩ Vật lý Nghiên cứu cấu hình nhám Giếng lượng tử GaN/AINTài liệu có liên quan:
-
Luận văn Thạc sĩ Kinh tế: Quản trị chất lượng dịch vụ khách sạn Mường Thanh Xa La
136 trang 377 5 0 -
97 trang 360 0 0
-
97 trang 334 0 0
-
155 trang 333 0 0
-
Luận văn Thạc sĩ Khoa học máy tính: Tìm hiểu xây dựng thuật toán giấu tin mật và ứng dụng
76 trang 309 0 0 -
26 trang 298 0 0
-
64 trang 291 0 0
-
115 trang 270 0 0
-
122 trang 237 0 0
-
136 trang 232 0 0
