Electronic principles - Chapter 6

Tài liệu tham khảo giáo án nguyên tắc điện tử bằng tiếng anh
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Electronic principles - Chapter 6 Chương 6Bipolar JunctionTransistor (BJT) Từ Vựng (1)• Active region = miền tích cực• Base (B) = (miền/cực) nền• Bipolar transistor = transistor lưỡng cực• Breakdwon region = miền đánh thủng• Collector (C) = (miền/cực) thu (hay góp)• Collector diode = diode tạo bởi JC• Common base (CB) = nền chung• Common collector (CC) = thu chung• Common emitter (CE) = phát chung Từ Vựng (2)• Current gain = độ lợi dòng• Curve tracer = máy vẽ đặc tuyến• Cutoff region = miền tắt• Emitter (E) = (miền/cực) phát Emitter diode = diode tạo bởi JE•• H parameter = tham (thông) số hỗn hợp H (Hybrid)• Integrated circuit = vi mạch = mạch tích hợp = IC Từ Vựng (3)• Heat sink = tản nhiệt, giải nhiệt• Junction trasistor = trasistor tiếp xúc• Power trasistor = trasistor công suất• Saturation region = miền bão hòa• Small-signal trasistor = trasistor tín hiệu nhỏ• Switching circuit = mạch chuyển mạch, mạch xung• Thermal resistance = nhiệt trở Nội dung chương 6 Transistor chưa phân cực1. Transistor có phân cực2. Các dòng điện trong transistor3. Mắc E chung (CE)4. Đặc tuyến ở cực nền5. Đặc tuyến ở cực thu6. Xấp xỉ transistor7. Đọc bảng dữ liệu8.9. TroubleshootingTransistors (Transfer Resistor) Transistors Field Effect Transistors Bipolar transistors NPN,PNP Junction-FETs (JFETS) Insulated Gate FET’s N-channel, P-channel MOSFETs Enhancement, Depletion N-channel, P-channel Giới thiệu về BJT• BJT = transistor tiếp xúc lưỡng cực = transistor 2 mối nối (hay 2 tiếp xúc)• Lưỡng cực: do dòng điện chính được tạo bởi 2 hạt dẫn điện tử (-) và lỗ (+)• BJT được phát minh vào năm 1948 do Bardeen, Brattain và Shockley• BJT là dụng cụ có 3 cực: phát (E), nền (B) và thu (C).• Người ta gọi tiếp xúc PN giữa B và E là JE, giữa B và C là JC.• Có 2 loại: NPN và PNPCấu tạo và ký hiệu BJT Cấu tạo và ký hiệu BJTNPN C C E N B B P B N+ E E C Arrow always points away from base and toward emitter My pneumonic: No Point iNPNP C C E P B B N B P+ E E C Arrow always points away from emitter towards base My pneumonic: Points INBipolar junctiontransistor (BJT) E B C• The BJT is a “Si sandwich” π n P Pnπ (P=p+,π =p-) or VEB VCB Npν (N=n+, ν =n-)• BJT action: npn Forward Active De p le tio nR e g io n when VBE > 0 and C h a rg e ne u tra lR e g io n VBC < 0Schematic representation of pnp and npn BJTsEmitter is heavily doped compared to collector. So, emitterand collector are not interchangeable.The base width is small compared to the minority carrierdiffusion length. If the base is much larger, then this willbehave like back-to-back diodes. BJT circuit symbols VCE = − VECIE = IB + IC and VEB + VBC + VCE = 0As shown, the currents are positive quantities when thetransistor is operated in forward active mode.BJT circuit configurations and output characteristicsBJT biasing modes BJT Operation Characteristics• IC vs. VCE graph allows us to determine operating region.• Works for any IB or VCE• VBE tops out around ~0.7V BJT Operation RegionsOperation IB or VCE BC and BE ModeOperationRegion JunctionsRegion Junctions Char.Cutoff IB = Very Reverse & Open Switch Reverse smallSaturation VCE = Small Forward & Closed Forward SwitchActive VCE = Reverse & LinearLinear Amplifier Moderate ForwardBreak-down VCE = Large Beyond Overload Limits Cutoff NPN BJT Collector current C nV2 Base current Reverse Biased B +++ p Reverse biased nV1 Emitter current E Saturated NPN BJT Collector current C nV2 ---- Forward biased Base current B p ++ - Forward biased - nV1 Emitter current E Active Linear NPN BJT Co ...