kỹ thuật điện tử - các đại lượng cơ bản - Trần Tiến Phúc - 3

Qua bảng (2-4) trên đây có thể thấy rằng hệ số khuếch đại dòng h21e phụ thuộc vào rất nhiều vào nhiệt độ. Hơn nữa ngay ở cùng một nhiệt độ, tranzito có cùng loại ký hiệu (được chế tạo như nhau) nhưng hệ số h21e của từng chiếc có thể hơn kém nhau vài ba lần. Như đã biết hệ số h21e ảnh hưởng nhiều đến điểm công tác tĩnh của tranzito. Bởi vậy để ổn định điểm công tác tĩnh, người thiế kế phải chú ý đến sự thay đổi hệ số h21e có thể có của loại...
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
kỹ thuật điện tử - các đại lượng cơ bản - Trần Tiến Phúc - 3độ cho sơ đồ, người thiết kế phải chú ý chủ yếu đến việc giảm hệ số ổn định nhiệt độS. Qua bảng (2-4) trên đây có thể thấy rằng hệ số khuếch đại dòng h21e phụ thuộcvào rất nhiều vào nhiệt độ. Hơn nữa ngay ở cùng một nhiệt độ, tranzito có cùng loạiký hiệu (được chế tạo như nhau) nhưng hệ số h21e của từng chiếc có thể hơn kémnhau vài ba lần. Như đã biết hệ số h21e ảnh hưởng nhiều đến điểm công tác tĩnh củatranzito. Bởi vậy để ổn định điểm công tác tĩnh, người thiế kế phải chú ý đến sự thayđổi hệ số h21e có thể có của loại tranzito dùng trong m ạch điện. Để định lượng sự phụthuộc của Ic vào h21e, giả thiết rằng các giá trị của Ucc và Rt đã biết hệ số khuếch đạidòng của tranzito biến thiên từ h21e1 đến h21e2 bỏ qua Ico (gọi Ic1 là dòng ứng vớitrường hợp hệ số khuếch đại h21e1 và Ic2 ứng với h21e2) tính được : UB UBE Ic1 = h21e1 (2-92) RB + (h21e1 + 1)RE UB UBE Ic2 = h21e2 (2-93) RB + (h21e1 + 1)RE Lấy hiệu số của (2-92) và (2-93), được: (UB UBE )(h21e 2 h21e1 )(RB + RE ) IC = (2-94) [RB + (h21e1 + 1)RE ][RB + (h21e2 + 1)RE ] Đem chia biểu thức (2-94) cho (2-92) sẽ được biểu thức cho sự biến thiên tươngđối của dòng Ic. IC h21e1 - h21e 2 (2-95) = h .R IC1 h21e1(1+ 21e1 E ) RB + R E Nhận xét biểu thức (2-95) thấy nó có chứa số hạng gần giống như biểu thức địnhnghĩa về sự ổn định S ; có thể biến đổi vế phải của (2-95) thành: IC h -h h +1 = 21e 2 21e1 . 21e 2 (2-96) IC1 h21e1(h21e 2 + 1) (1+ h21e 2 )K Nếu gọi S2 là độ ổn định nhiệt độ khi h21e = h21e1, thì (2-95) có thể viết thành : IC Δh21e .S 2 = (2-97) IC1 h21e1(h21e1 + 1) Trong đó ∆h21e = (h21e2 – h21e1) thường gọi là độ sai lệch của h21e. Biểu thức (2-97) cho thấy sự biến đổi dòng colectơ phụ thuộc trực tiếp vào độ sailệch hệ số khuếch đại h21e kể trên. Ngoài ra biểu thức này còn cho phép người thiết kếtính được giá trị của điện trở cần thiết giữ cho dòng Ic biến đổi trong một phạm vi nhấtđịnh khi h21e thay đổi. 612.2.4. Tranzito trường (FET) Khác với tranzito lưỡng cực đã xét ở phần trên mà đặc điểm chủ yếu là dòngđiện trong chúng do cả hai loại hạt dẫn (điện tử và lỗ trống tự do) tạo nên, qua một hệthống gồm hai mặt ghép p-n rất gần nhau điều khiển thích hợp, tranzito trường (còngọi là tranzito đơn cực FET) hoạt động dựa trên nguyên lý ứng trường, điều khiển độdẫn điện của đơn tinh thể bán dẫn nhờ tác dụng của 1 điện trường ngoài. Dòng điệntrong FET chỉ do một laọi hạt dẫn tạo ra. Công nghệ bán dẫn, vi điện tử càng tiến bộ,FET càng tỏ rõ nhiều ưu điểm quang trọng trên hai mặt xử lý gia công tín hiệu với độtin cậy cao và mức tiêu hao năng lượng cực bé. Phần này sẽ trình bày tóm t ắt nhữngđặc điểm quang trọng nhất cảu FET về cấu tạo, ngyuên lý hoạt động và các tham sốđặc trưng đối với hai nhóm chủng loại: FET có cực cửa là tiếp giáp p-n (JFET) và FETcó cực cửa cách li (MOSFET hay IGFET).a- Tranzito trường có cực cửa tiếp giáp (JFET) - Cấu tạo và ký hiệu qui ước: D Drain D Kênh n G- Gate G S Si- n D p Kênh p G+ S Source S Hình 2.47: Cấu tạp JFET và ký hiệu quy ước Hình 2.47a đưa ra một cấu trúc JFET kiểu kênh n : trên đế tinh thể bán dẫn Si-nngười ta tạo xung quanh nó 1 lớp bán dẫn p (có tạp chất nồng độ cao hơn so với đế)và đưa ra 3 điện cực là cực nguồn S (Source), cực máng D (Drein) và cực cửa G(Gate). Như vậy hình thàn ...