Bài thuyết trình Các loại Solar Cells

Bài thuyết trình Các loại Solar Cells giới thiệu và phân loại các loại pin mặt trời, các loại pin mặt trời thế hệ thứ 1, 2, 3, và 4. Mời các bạn tham khảo bài thuyết trình để nắm bắt nội dung chi tiết, với các bạn chuyên ngành Vật lý thì đây là tài liệu hữu ích.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Bài thuyết trình Các loại Solar Cells TRƢỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN KHOA VẬT LÝ BỘ MÔN VẬT LÝ ỨNG DỤNGCÁC LOẠI SOLAR CELLS HVTH: Nguyễn Thị Hoài Phương Lớp Cao học Quang học khóa 21 CÁC LOẠI PIN MẶT TRỜII. GIỚI THIỆU VÀ PHÂN LOẠIII. PIN MẶT TRỜI THẾ HỆ THỨ I VÀ II A. Đơn tinh thể B. Màng mỏngIII. PIN MẶT TRỜI THẾ HỆ THỨ III A. Pin từ polyme B. Pin DSSCIV. PIN MẶT TRỜI THẾ HỆ THỨ IVI. GIỚI THIỆU VÀ PHÂN LOẠII. GIỚI THIỆU VÀ PHÂN LOẠI I. GIỚI THIỆU VÀ PHÂN LOẠICác thế hệ pin mặt trời Thế hệ thứ I: - Silic đơn tinh thể ( c-Si) Thế hệ thứ II: - Silic vô định hình (a-Si) - Silic đa tinh thể ( poly- Si) - Cadmium telluride ( CdTe) Thế hệ thứ III: - Pin tinh thể nano (nanocrystal solar cell) - Photoelectronchemical (PEC) cell - Pin hữu cơ ( polymer solar cell) - Dye sensitized solar cell ( DSSC) Thế hệ thứ IV: - Hydrid – inorganic crystals within a polymer matrix PIN MẶT TRỜI THẾ HỆ THỨ I VÀ THỨ IIĐƠN TINH THỂ1. Cấu tạo Khi cho hai khối bán dẫn n và p tiếp xúc nhau, do có sự khác nhau về mật độ hạt dẫn nên sẽ có sự khuếch tán của electron từ bán dẫn loại n sang bán dẫn loại p và sự khuếch tán của lỗ trống từ bán dẫn loại p sang loại n. Trong quá trình khuếch tán này chúng sẽ tái hợp với các hạt cơ bản tại miền chúng vừa tới. Kết quả là trong bán dẫn loại n, tại vùng gần mặt tiếp xúc sẽ hình thành một miền điện tích dương, trong bán dẫn loại p, tại vùng gần mặt tiếp xúc cũng xuất hiện một miền điện tích âm. Nếu mật độ tạp chất Nd = Na trong hai bán dẫn thì hai miền điện tích này có độ dày bằng nhau và chúng tạo thành một lớp chuyển tiếp với điện trở rất lớn. PIN MẶT TRỜI THẾ HỆ THỨ I VÀ THỨ IIĐƠN TINH THỂ Khi trạng thái cân bằng được thiết lập, ở1. Cấu tạo lớp tiếp xúc hình thành một hiệu điện thế tiếp xúc UK (đối với Si vào cỡ 0,6V đến 0,7V. Đây là hiệu thế sinh ra ở chỗ tiếp xúc không tạo ra dòng điện được) và tương ứng nó là một hàng rào thế Vbi. Hàng rào thế Vbi cản sự khuếch tán của electron từ bán dẫn loại n sang bán dẫn loại p và sự khuếch tán của lỗ trống từ bán dẫn loại sang bán dẫn loại n. Dưới tác dụng của điện trường lớp chuyển tiếp, các mức năng lượng của bán dẫn n tụt xuống, các mức năng lượng của bán dẫn p dịch lên phía trên. Qúa trình dịch chuyển các mức năng lượng sẽ ngừng khi các mức Fecmi của hai bán dẫn trùng nhau. Độ lớn của thế rào: e Vbi = N d p n2 N a n 2p 2 s PIN MẶT TRỜI THẾ HỆ THỨ I VÀ THỨ IIĐƠN TINH THỂ1. Cấu tạo Silic dùng làm pin mặt trời đòi hỏi độ tinh khiết cao, điều này được thực hiện bằng 2 cách:  Nuôi cấy nhờ nấu chảy: một mẩu nhỏ của vật liệu đơn tinh thể, được gọi là mầm, được đưa vào tiếp xúc với bề mặt của cùng vật liệu trong pha lỏng và sau đó được kéo lên từ từ khỏi vật liệu nóng chảy. Khi mầm được kéo chậm, sự đông đặc xuất hiện dọc theo giao diện rắn- lỏng  Nuôi ghép: là quá trình ở đó một lớp mỏng đơn tinh thể được nuôi trên một nền đơn tinh thể. Có hai loại nuôi ghép: đồng ghép và ghép khác loại PIN MẶT TRỜI THẾ HỆ THỨ I VÀ THỨ IIĐƠN TINH THỂ1. Cấu tạo QUÁ TRÌNH PHA TẠP ĐỂ TẠO THÀNH BÁN DẪN LOẠI N VÀ LOẠI P: pha tạp nguồn rắn/ khí và pha tạp ion.  Sự khuếch tán tạp chất xuất hiện khi tinh thể bán dẫn được đặt trong môi trường khí nhiệt độ cao (1000 oC) chứa nguyên tử tạp chất mong muốn. Sự khuếch tán tạp chất là quá trình mà nhờ đó các hạt tạp chất chuyển động từ vùng có nồng độ cao cạnh bề mặt tới vùng có nhiệt độ thấp hơn trong tinh thể. Khi nhiệt độ giảm, các nguyên tử tạp chất bị cố định lại vĩnh viễn thành các điểm mạng thay thế.  Nuôi cấy ion xảy ra tại nhiệt độ thấp hơn khuếch tán. Một chùm chuẩn trực các ion khuếch tán được gia tốc có động năng trong dảy 50 eV hoặc lớn hơn và được gia tốc về phía ...