Bài thuyết trình Vật lý Quang phổ học biến diệu

Bài thuyết trình Vật lý Quang phổ học biến diệu trình bày về phương pháp phổ học biến điệu quang phản xạ, phương pháp quang phản xạ. Bài thuyết trình hữu ích với các bạn chuyên ngành Vật lý và những ngành có liên quan.
Nội dung trích xuất từ tài liệu:
Bài thuyết trình Vật lý Quang phổ học biến diệuTRƯỜNG ĐẠI HỌC KHOA HỌC TỰ NHIÊN BỘ MÔN VẬT LÝ ỨNG DỤNG QUANG PHỔ HỌC BIẾN ĐIỆU GVTH: GS.TS LÊ KHẮC BÌNH HVTH: LÊ DUY NHẬT Phương pháp phổ học biến điệu quang phản xạ Phổ học biến điệu (Modulation Spectroscopy) Những phép đo quang với cùng tính chất giống nhau là R,  R,  Biến điệu Biến điệu ngoài Biến điệu trong_Điện phản xạ (Electroreflectance - ER) _Biến điệu độ dài bước sóng tia tới_Quang phản xạ (Photoreflectance - PL) _Biến điệu sự phân cực ánh sáng tới_Từ phản xạ (Magnetoreflectance - MR) _Thay đổi vị trí trên mẫu_Pizo phản xạ (Piezoreflectance) Io … IoR + Io∆R_Nhiệt phản xạ (Thermoreflectance -) Quang biến điệu IoT + Io∆T Phương pháp quang phản xạ Biến điệu yếu tố tác động Biến điệu với chu kì Biến điệu tia laser kích thíchKhông có laser Có laser FS  0 FS  0 Roff  Ron Hiệu ứng Nguồn laser làm giảm điện trường bề mặt do sản sinh các cặp /eh trung hòa bớt các ion donor và các tâm bắtFrank - Keldysh ở bề mặt. 1 3      -2  E - E g    4  E - Eg  2 2ΔR Roff - Ron  = = exp  3  × cos 3 . 3 + χ R Roff   hΩ  2    hΩ  2      Phương pháp quang phản xạ 1 3    ΔR Roff - Ron =  = exp  -2  E - E g  2   4 × cos  .  E - E g  2  + χR Roff 3  3 3   hΩ  2    hΩ  2      Sự biến đổi của hệ số phản xạ R có liên hệ với sự nhiễu loạn của hàm điện môi ε = ε1 + iε2 R  E , F    S  1 ,  2  1   S 1 ,  2   2 R  S , S Các hệ số Seraphin S   2n n 2  3k 2  1  S    2k 3n 2  k 2  1 c c So sánh giữa 3 loại phổ từ 0-6eV của GaAs . Ở trên: phổ phản xạ R (Philip and Ehrenreich 2 1963); Ở giữa: đạo hàm theo năng lượng của c  n2  k 2  n2  k 2     2k 2  2n 2  1 R (Sell and Owski 1970); Ở dưới: Phổ điện   phản xạ (Aspnes and Studna 1973).R  E, F  S 1,2  1  S 1,2  2 R 2n  n 2  3k 2  1 S  c S   2k 3n 2  k 2  1  c 2 1,4 eV 1,36 eV  n2  k 2  2k  2n  1  c  n k2 2    2 2  Hệ số α, βcủa GaAs (a) và InP (b) phụ thuộc vào năng lượng phôton. GaAs:α>β trong khoảng năng lượng từ 0-2.8 eV αβ trong khoảng năng lượng từ 0-3 eV α> β.  S   1 ,  2  1   S  1 ,  2   2 R Hằng số điện môi dưới tác động   S  1 ,  2  1 của điện trường F:  i  x, F  ...